ALD 虚拟工艺实验台

请按照以下顺序进行实验操作：

设定项目位置
点击左上角的“选择文件夹”，指定一个空目录或已有项目目录，用于存放实验数据。

确定材料体系
在“目标材料”卡片中选择想要生长的薄膜（如 HfO₂），并确认前驱体和氧化剂。点击“确认”以匹配基底。

配置工艺配方
设置生长温度、压强、总循环数以及单周期的脉冲/吹扫时间。确认无误后点击“锁定配方”。

启动虚拟实验
点击左下角的“启动虚拟实验”按钮，观察右侧的实时生长曲线和日志监控。

分析实验结果
模拟完成后，点击绿色的“分析”按钮，查看质量增重、厚度生长线性度及表面粗糙度结果。

0. 项目存储位置

💡 提示：在弹出的窗口中可右键新建文件夹

1. 目标材料 (Target)

选择要生长的薄膜

工艺与基底匹配状态

前驱体 (A)

共反应物 (B)

⚠ 请确认上方化学试剂

✔ 已加载标准 HfO2 基底 (Default)

2. 工艺配方 (Recipe)

工艺温度

°C

工艺压强

循环总数 (Total Cycles)

cyc

单循环时序 (Cycle Timing)

Pulse As

Purges

Pulse Bs

Purges

高级/开发者参数 (Advanced) ▼

自定义基底建模 (Custom Lattice)

表面初始状态 (Surface Initialization)

初始修饰基团

* 仅在金属原子上方的格点生成修饰基团

超胞尺寸 (Supercell) [x, y, z]

晶面指数 (Facet) [h, k, l]

真空层 (Vacuum)

Latt

基底厚度 (Base)

Latt

掺杂与超循环 (Doping & Supercycle)

掺杂元素 (Dopant) (Optional)

超循环次数 (Supercycle) [A, B]

Initializing... 0%

求解器设置 (Solver)

计算模式 (Mode)

随机种子

输出步长